Den framtida av lila LED-chip LED belysning kommer att fokusera på forskning
I slutet av förra seklet, halvledare belysning började utveckla och snabb utveckling, en av den grundläggande förutsättningen är tillväxten av Blu-ray GaN-baserade aluminat material och enhet struktur, och den framtida material och enhet struktur teknik kommer så småningom att bestämma höjden av halvledare belysningsteknik. Den GaN-baserade material och enheter härrör från utrustning, råvaror, enheten design, chip-teknologi, chip applikationer och andra fem delar av analysen.
Utrustning
I fall där storskaliga GaN enda kristall material inte kan beredas i dagsläget, är MOCVD en metall organiska kemiska ångor nedfall enhet som är fortfarande den mest kritiska enheten för GaN heteroepitaxy. Den nuvarande kommersiella MOCVD utrustningen marknaden främst genom de två internationella jättarna att behärska, i det här fallet Kina MOCVD fortfarande gjort fantastiska utveckling och framväxten av 48 maskiner.
Men vi behöver fortfarande att erkänna bristerna i den inhemska MOCVD. För MOCVD, i allmänhet forskningsbaserade utrustning fokuserar temperaturkontroll, kommersiell utrustning är uniform, repeterbarhet och så vidare. Vid låg temperatur, kan hög i sammansättning växa hög InGaN, passar nitriden system material i orange gul, röd, infraröd och andra lång våglängd program, så att nitriden program täcker hela vita ljus fältet; och 1200oC-1500oC hög temperatur, kan växa hög Al sammansättningen av AlGaN, nitriden program utvidgas till fältet av ultraviolett och power elektroniska enheter, tillämpningsområdet för att erhålla större expansion.
Närvarande, främmande länder redan har 1600oC hög temperatur MOCVD utrustning, kan producera högpresterande UV LED och kraftkomponenter. Kina MOCVD fortfarande behöver långsiktiga utveckling, att expandera MOCVD kontroll temperaturområdet; för kommersiell utrustning inte bara för att förbättra prestanda, men också att säkerställa enhetlighet och skala.
Källmaterial
Källmaterialet innehåller främst olika sorters gas material, metall organiska material, grundmaterial och så vidare. Bland dem, substratmaterialet är det viktigaste, direkt begränsar kvaliteten på epitaxial filmar. På nuvarande, GaN-baserade LED substrat mer diversifierade, SiC, ökas Si och GaN och andra substrat teknik gradvis, en del av underlaget från 2 tum till 3 tum, 4 inches eller ens 6 tum, 8 inches och andra stora utveckling.
Men den övergripande synpunkt, nuvarande kostnadseffektiva är fortfarande den högsta safiren; SiC överlägsen prestanda men dyrt; Si substrat priser, storlek fördelar och konvergens av traditionella integrerad krets teknik gör Si substratet är fortfarande den mest lovande teknik rutten en.
GaN substrat behöver fortfarande förbättra storleken och sänka priserna när det gäller insatser i framtiden i high-end grön laser och icke-polära LED applikationer att visa sina talanger; metall organiska material från beroendet av import till oberoende produktion, med stora framsteg; andra gaser material har gjort stora framsteg. Kort sagt, har Kina gjort stora framsteg i fältet av källmaterial.
Förlänga
Tillägget, det vill säga processen att skaffa enhet struktur, är den mest tekniskt tekniskt nödvändiga processen att direkt fastställa interna quantum effektivitet LED. Närvarande, de flesta av halvledare belysning chip med flera quantum väl struktur, den specifika tekniska väg är ofta föremål för substratmaterialet. Safir substratet vanligaste grafikteknik substrat (PSS) för att minska det epitaxial filmen för fel densitet att effektivisera interna quantum, men också förbättra effektiviteten i ljus ut. Framtida PSS teknik är fortfarande ett viktigt substrat teknik och grafik storlek gradvis till riktningen av nano-utveckling.
GaN homogent substrat kan användas i icke-polära eller semi polar ytan epitaxiell tillväxt teknik, en del av avskaffandet av polariserad elektriskt fält orsakas av quantum Stark effekt, i gröna, gul-grön, röd och orange GaN-baserade LED applikationer med mycket viktig betydelse. Dessutom, den nuvarande epitaxyen är generellt utarbetandet av singel-våglängd våglängd quantum wells, användning av lämplig epitaxiell teknik, kan förberedas flera våglängder utsläpp av LED, det vill säga enkel-flisa vit LED, som är en av de lovande teknisk väg.
Bland dem väl representativa för InGaN quantum med avskiljandet, att uppnå en hög i sammansättningen av InGaN gul quantum quantum dot och blått ljus quantum kombination av vitt ljus. Dessutom, användning av flera quantum wells för att uppnå bred spektrala ljusöppningen läge, för att uppnå enkel-flisa vit ljusflöde, men vit color rendering index är fortfarande relativt låg. Icke-lysrör enkel-flisa vit LED är en mycket attraktiv riktningen för utveckling, om du kan uppnå hög effektivitet och hög color rendering index, kommer att ändra halvledaren belysning teknik kedjan.
I quantum väl struktur blivit införandet av elektron blockerande skikt att blockera elektroniska läckage för att förbättra den lysande effektiviteten en konventionell metod av LED epitaxiell struktur. Dessutom, optimering av de potentiella hinder och potentiella väl av quantum väl kommer att fortsätta att vara en viktig process länk, hur justera stressen, för att uppnå bandet styckning, du kan förbereda olika våglängder av LED-ljus. I chip locket lager, är hur till förbättra det p-skiktet av materialkvalitet, p-typ hål koncentration, konduktivitet och lösa hög nuvarande sloka effekten fortfarande en prioritet.
Chip
I den chip-tekniken, hur att förbättra effektiviteten i ljus utvinning och få en bättre kylning lösning att bli kärnan i chip design, och motsvarande utveckling av den vertikala strukturen, yta uppruggning, fotoniska kristall flip struktur, film flip struktur (TFFC), nya transparenta elektroder och andra tekniker. Bland dem, kan filmen flip-chip struktur med hjälp av laser strippar, surface förgrovning och andra tekniker, förbättra effektiviteten i ljus.
Chip ansökan
Vit LED för Blu-ray LED upphetsad gul fosfor låg teknisk lösning låg RGB verkningsgraden, RGB multi-chip vit och enkel-flisa phosphor-gratis vitt ljus som den främsta trenden av framtida vit LED, låg-effektivitet grön LED bli den viktigaste begränsande faktor RGB-multi-chip vitt ljus blir den framtida semi polära eller opolära gröna LED en viktig utvecklingstrend.
I lösningen av vita LED-färg, kan du använda lila eller UV LED excitation RGB tre färger fosfor, hög-färg vit LED-teknik, men måste offra en del av effektiviteten. I dagsläget, effektiviteten i violett eller ultraviolett chip chip har gjort stora framsteg, Nichia Chemical Company producerade 365nm våglängd UV LED externa quantum effektivitet är nära 50%. Framtiden för UV LED blir fler program, och inga andra UV-ljussystem material istället utvecklingsmöjligheterna är enorm.
Vissa utvecklade länder har investerat en massa arbetskraft, materiella resurser att genomföra UVLED forskning. Nitriden infraröd ljus band programmen, förutom miljön, både pris eller prestanda är svårt att konkurrera med arsenik, och således utsikterna är inte mycket tydlig.
Enligt ovan, kan det ses att de uppströms material och utrustning omgivande halvledare belysning har kraftigt utvecklats, särskilt när det gäller effektivitet, blå bandet ligger nära den ideala effektiviteten, chip i halvledaren belysning pris är också signifikant, framtiden för halvledare belysning från ljuset av utvecklingen av ljuskvalitet, vilket kräver effektivitet chip material att bryta igenom fältet av blått ljus, medan lång våglängd och kort våglängd riktning och grön, lila och UV LED chip kommer att vara i fokus för framtida forskning.
Heta produkter:90W gatubelysning,DLC UL LED-Panel,72W vattentät panel,1,5 M linjär lampa,100W power hög bay,240W power hög bay,Övervakningsradar ljus,Linjär pendel hög bay
